Эта странная магнетичность может питать искусственный интеллект завтрашнего дня
Японские ученые подтвердили, что сверхтонкие пленки диоксида рутения являются альтермагнетиками — новым классом магнитных материалов, перспективных для создания высокоскоростной и компактной памяти для ИИ
Короткое резюме
Международная исследовательская группа подтвердила, что сверхтонкие плёнки диоксида рутения (RuO2) обладают альтермагнетизмом, представляющим собой третий фундаментальный класс магнитных материалов. Этот материал сочетает магнитную стабильность с возможностью быстрого электрического считывания, что делает его идеальным кандидатом для памяти будущих вычислительных систем, включая системы искусственного интеллекта.
В отличие от традиционных ферромагнетиков, уязвимых к внешним магнитным полям, и антиферромагнетиков, данные в которых сложно считать электрически, альтермагнетики предлагают оптимальный баланс. Учёным удалось преодолеть ключевую проблему, вырастив высококачественные плёнки RuO2 с единой кристаллографической ориентацией на сапфировых подложках. С помощью рентгеновского магнитного линейного дихроизма и измерения магнитосопротивления они экспериментально подтвердили альтермагнитные свойства, которые совпали с теоретическими расчётами.
На основе этого открытия команда планирует разработать передовые технологии магнитной памяти, которые позволят ускорить обработку информации и повысить её энергоэффективность. Разработанные методы анализа также ускорят поиск и изучение других альтермагнитных материалов, открывая новые пути в спинтронике и электронике следующего поколения.
Подтверждение нового класса материалов
Экспериментально доказано, что диоксид рутения (RuO2) является альтермагнетиком — третьим фундаментальным типом магнитных материалов после ферро- и антиферромагнетиков
Ключевое технологическое преимущество
Альтермагнетики сочетают устойчивость к внешним магнитным помехам с возможностью электрического считывания данных, что решает главные проблемы современной магнитной памяти
Успех в контролируемом синтезе
Ключом к открытию стало создание сверхтонких плёнок RuO2 с единой кристаллографической ориентацией, что позволило получить воспроизводимые и чистые свойства материала
Потенциал для вычислительных систем
Материал рассматривается как основа для создания высокоскоростной, плотной и энергоэффективной памяти, способной питать системы искусственного интеллекта следующего поколения
Текст сгенерирован с использованием ИИ
