«Технология высокоэффективного прецизионного производства плат с большой задней полостью для MEMS-акустических датчиков и ее индустриализация» прошла экспертизу
Проект по созданию технологии высокоэффективного прецизионного производства плат с большой задней полостью для MEMS-акустических датчиков признан соответствующим международному передовому уровню
Короткое резюме
5 мая в Гуанчжоу под эгидой Электронного общества провинции Гуандун состоялось заседание экспертной комиссии по оценке проекта «Технология высокоэффективного прецизионного производства плат с большой задней полостью для MEMS-акустических датчиков и её индустриализация». По результатам экспертизы было признано, что общий уровень технологии проекта соответствует международному передовому уровню.
В рамках проекта была изобретена новая интегрированная структура платы с большой задней полостью для MEMS-акустических датчиков. Разработаны координированная технология вырубки и фрезерования полости MEMS-платы, технология точного переноса рисунка схемы, технология прецизионной обработки лазерных акустических отверстий и технология электронного контроля с использованием ИИ. Это позволило добиться точного контроля размеров полости с высокой точностью, низкой шероховатости боковых стенок, высокой точности размеров акустических отверстий и концентричности схем на сторонах A/B. Продукция проекта получила положительные отзывы от известных профильных предприятий.
Проект был совместно реализован компанией Dongguan Kejia Circuit Co., Ltd., Инновационным институтом дизайна Южного Китая (Dongguan) и Гуандунским технологическим университетом. В ходе работ получен 1 патент на изобретение и 8 патентов на полезные модели. Результаты проекта обеспечили ключевую поддержку для нижестоящих отраслей производства MEMS-микрофонов, датчиков давления и других основных компонентов, способствуя модернизации китайской промышленности MEMS-плат в сторону высокотехнологичного и интеллектуального направления, достигнув значительных экономических и социальных выгод.
Международный уровень
Общий уровень технологии проекта признан соответствующим международному передовому уровню
Ключевые инновации
Изобретена новая интегрированная структура платы с большой задней полостью и разработано несколько ключевых технологий производства, включая ИИ-контроль
Поддержка промышленности
Результаты обеспечивают критическую поддержку для производства MEMS-микрофонов и датчиков давления
Интеллектуальная собственность
В рамках проекта получен 1 патент на изобретение и 8 патентов на полезные модели
Текст сгенерирован с использованием ИИ

